功率半导体异质耐压层电荷场优化技术 - 中国高校教材图书网
|
|
|
书名： |
功率半导体异质耐压层电荷场优化技术
|
| ISBN： | 9787563556618 |
条码： | |
| 作者： |
吴丽娟
相关图书
|
装订： | 0 |
| 印次： | 1-1 |
开本： | 16开 |
| 定价： |
￥59.00
折扣价：￥39.53
折扣：0.67
节省了19.47元
|
字数： |
|
| 出版社： |
北京邮电大学出版社 |
页数： |
|
| 发行编号： | |
每包册数： |
|
| 出版日期： |
2019-05-10 |
|
|
| 内容简介： |
《功率半导体异质耐压层电荷场优化技术/“十三五”科学技术专著丛书》为功率半导体领域巾关于异质耐压层电荷场优化技术的学术专著。《功率半导体异质耐压层电荷场优化技术/“十三五”科学技术专著丛书》第1章首先介绍功率半导体的相关内容，然后在此基础上介绍横向功率器件耐压层、耐压层的作用基础与分析方法、耐压层的特殊性；第2章介绍异质耐压层分类和工作机理；第3章分析ENDIF耐压层电荷场优化方法；第4章分析VFP耐压层电荷场优化方法；第5章分析HK耐压层极化电荷场优化方法；第6章分析CCLSJ耐压层电荷场优化方法；第7章分析GC耐压层电荷场优化方法。功率器件中耐压层结构从耐压角度上可分为两大类，从而形成耐压ENDIF和辅助耗尽两种应用需求。
《功率半导体异质耐压层电荷场优化技术/“十三五”科学技术专著丛书》可供研究功率半导体异质耐压层电荷场优化技术的理论工作者，半导体相关专业的高校师生，功率器件领域的博士、硕士、本科生，及从事电荷场优化技术创新活动的科技人员阅读，也可供其他相关专业的本科生、研究生和工程技术人员阅读参考，还可作为高等院校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等专业相关课程的教学参考书。
|
| 作者简介： |
|
|
| 章节目录： |
目录：
第1章 概述
1．1 功率半导体器件
1．2 横向功率器件耐压层
1．3 耐压层的作用基础与分析方法
1．3．1 耐压层的作用基础
1．3．2 一般分析方法
1．4 耐压层的特殊性
1．4．1 SOI耐压层
1．4．2 HK耐压层
1．4．3 VFP耐压层
1．4．4 CCL SJ耐压层
1．4．5 GC耐压层
参考文献
第2章 异质耐压层
2．1 解析理论
2．2 ENDIF耐压层
2．2．1 高压SOI介质场增强技术
2．2．2 介质场增强理论
2．2．3 电荷型介质场增强技术
2．2．4 薄硅层介质场增强技术与结构
2．3 HK耐压层
2．3．1 高K材料
2．3．2 极化电荷自平衡机理的研究
2．4 VFP耐压层
2．5 CCL耐压层
2．6 GC耐压层
参考文献
第3章 ENDIF耐压层电荷场优化
3．1 电荷型高压SOI器件设计技术
3．1．1 硅层横向耐压电荷型ENDIF
3．1．2 硅层纵向耐压电荷型ENDIF
3．2 n-反型电荷型高压SOI器件
3．2．1 SBO高压PSOI器件
3．2．2 SBO CBL高压SOI器件
3．3 n-混合电荷型高压SOI器件
3．3．1 LVD N+I SOI LDMOS结构与机理
3．3．2 PBN+SOI LDMOS
3．4 电荷型p沟高压SOI器件
3．4．1 高压SOI pLDMOS
3．4．2 p-积累电荷型高压SOI pLDMOS
3．4．3 p-混合电荷型高压SOI pLDMOS
3．4．4 FBL SOI pLDMOS
3．4．5 NBL PSOI pLDMOS
3．5 电荷型SJ高压SOI器件
3．5．1 功率超结器件的发展
3．5．2 SB SOI SJ pLDMOS
3．5．3 T-DBL SOI SJ nLDMOS
3．5．4 TSL SOI SJ nLDMOS
参考文献
第4章 VFP耐压层电荷场优化
4．1 BDFP-DE LDMOS
4．1．1 引言
4．1．2 结构与机理
4．1．3 结果与讨论
4．1．4 模型分析
4．1．5 工艺分析
4．1．6 结论
4．2 VFP SOI LDMOS
4．2．1 引言
4．2．2 结构与机理
4．2．3 结果与讨论
4．2．4 结论
参考文献
第5章 HK耐压层极化电荷场优化
5．1 体硅高K
5．1．1 HKLR LDMOS
5．1．2 VFP HK LDMOS
5．2 SOI高K
5．2．1 HKHN SOI LDMOS
5．2．2 VK DT SJ LDMOS
5．3 二维势场分布模型
5．4 实验方案
参考文献
第6章 CCL SJ耐压层电荷场优化
6．1 SBP SJ LDMOS
6．1．1 引言
6．1．2 器件结构与机理
6．1．3 结果与讨论
6．1．4 总结
6．2 SBOX SJ LDMOS
6．2．1 引言
6．2．2 器件结构与机理
6．2．3 结果与讨论
6．2．4 结论
6．3 PLK SJ LDMOS
6．3．1 引言
6．3．2 器件结构与机理
6．3．3 结果与讨论
6．3．4 结论
6．4 SOI VK PSJ LDMOS
6．4．1 引言
6．4．2 器件结构和机理
6．4．3 结果与讨论
6．4．4 结论
参考文献
第7章 GC耐压层电荷场优化
7．1 TGDT LDMOS
7．1．1 引言
7．1．2 结构和机理
7．1．3 结果与讨论
7．1．4 结论
7．2 SG DVFP LDMOS
7．2．1 引言
7．2．2 结构和机理
7．2．3 结果与讨论
7．2．4 结论
参考文献
后记
|
| 精彩片段： |
|
|
| 书 评： |
|
|
| 其 它： |
|
|
|
