宽禁带半导体核辐射探测器 - 宽禁带半导体前沿丛书 - 中国高校教材图书网
|
|
书名: |
宽禁带半导体核辐射探测器
宽禁带半导体前沿丛书
|
ISBN: | 978-7-5606-6284-8 |
条码: | |
作者: |
张玉明 郭辉 张金风
相关图书
|
装订: | 平装 |
印次: | 1-1 |
开本: | 16开 |
定价: |
¥128.00
折扣价:¥121.60
折扣:0.95
节省了6.4元
|
字数: |
|
出版社: |
西安电子科技大学出版社 |
页数: |
|
发行编号: | |
每包册数: |
|
出版日期: |
2022-10-01 |
|
内容简介: |
本书较全面地介绍了两种典型宽禁带半导体材料在核辐射探测器中的应用,主要论述了宽禁带核辐射探测器制备及应用中的相关基础理论。本书首先介绍了近年来碳化硅、金刚石这两种颇具代表性的宽禁带半导体材料用于核辐射探测的新进展,然后介绍了辐射源、射线与探测介质相互作用的基础知识以及碳化硅、金刚石核辐射探测器的基本工作原理与结构,最后着重论述金刚石、碳化硅核辐射探测器的制备过程与辐射响应。 本书可作为从事核探测方面工作的技术人员的参考书,也可作为半导体核探测相关方向的研究生的教材。
|
作者简介: |
|
章节目录: |
第1章 绪论 1 1.1 核辐射探测在极端环境与强辐射场应用中的作用 2 1.2 核辐射探测器的发展简介 3 1.3 宽禁带半导体核辐射探测器总体进展综述(研究现状) 4 1.3.1 金刚石核辐射探测器的发展及应用 4 1.3.2 SiC核辐射探测器的发展及应用 14 参考文献 24 第2章 宽禁带半导体核辐射探测器的探测原理 33 2.1 核辐射的基本性质 34 2.2 粒子与物质的相互反应 35 2.3 宽禁带半导体核辐射探测器的基本结构和工作原理 38 2.3.1 探测器结构与工作原理 39 2.3.2 基本辐射探测系统 47 参考文献 49 第3章 金刚石核辐射探测器 51 3.1 核辐射探测器级金刚石材料的生长方法 52 3.1.1 核辐射探测器的载流子输运 52 3.1.2 高质量CVD单晶金刚石材料生长 53 3.2 核辐射探测器级金刚石材料的特性表征分析 63 3.2.1 金刚石样品选型策略 63 3.2.2 金刚石的非破坏性表征分析 65 3.3 金刚石核辐射探测器的制备工艺方法和电学特性 79 3.3.1 器件结构设计与制备 79 3.3.2 氢氧终端CVD金刚石核探测器制备工艺与电特性 82 3.4 金刚石核辐射探测器对阿尔法粒子的响应 86 3.4.1 能谱特性参数 87 3.4.2 测量方法 89 3.4.3 单晶金刚石核探测器对α粒子的能谱响应 92 3.4.4 单晶金刚石核探测器的时间响应 95 3.4.5 对比结果 96 3.4.6 多晶金刚石核探测器对α粒子的能谱响应 97 3.5 金刚石核辐射探测器对X射线的响应 99 3.5.1 性能参数与测试方法 99 3.5.2 单晶金刚石核辐射探测器对X射线的响应 101 3.5.3 多晶金刚石核辐射探测器对X射线的响应 109 3.5.4 小结 116 3.6 金刚石材料特性对核辐射探测器的性能影响 116 3.6.1 引言 116 3.6.2 材料选取 117 3.6.3 材料特性表征 118 3.6.4 器件制备 126 3.6.5 能谱特性 126 3.6.6 分析与讨论 129 3.6.7 结论 133 参考文献 133 第4章 SiC核辐射探测器的制备 139 4.1 SiC核辐射探测器的几种基本结构 140 4.1.1 PN结型探测器 140 4.1.2 PiN结型探测器 140 4.1.3 肖特基结型探测器 141 4.1.4 中子探测器 141 4.2 探测器级SiC外延材料制备和分析 143 4.2.1 SiC单晶衬底的制备 144 4.2.2 SiC厚外延层生长工艺 146 4.3 SiC外延层的表征及分析 159 4.3.1 SiC外延层表征技术 159 4.3.2 SiC外延层中的缺陷 171 4.4 SiC核辐射探测器的制备和电学特性 177 4.4.1 探测器关键制备工艺与基本流程 177 4.4.2 探测器电学测试 186 参考文献 192 第5章 SiC核辐射探测器的辐射响应研究 197 5.1 SiC核辐射探测器能谱仿真与器件优化设计 198 5.1.1 工具软件介绍 200 5.1.2 器件仿真模型与材料参数 203 5.1.3 粒子辐照探测器脉冲幅度谱计算原理 207 5.1.4 器件层面的优化设计 214 5.2 SiC核辐射探测器对带电粒子的响应 228 5.2.1 带电粒子辐照响应仿真结果分析 228 5.2.2 带电粒子辐照响应实验研究与分析 233 5.3 SiC核辐射探测器对X射线的响应 243 5.3.1 脉冲X射线瞬态响应实验 243 5.3.2 脉冲X射线瞬态响应仿真分析 247 5.4 SiC核辐射探测器对不同能量中子的响应 249 5.4.1 热中子探测性能研究 250 5.4.2 14.1 MeV D-T中子探测性能研究 259 参考文献 265 第6章 SiC材料辐照损伤对辐射响应的影响 269 6.1 SiC材料缺陷对核辐射探测器性能的影响 270 6.2 SiC材料的辐照损伤及探测性能退化 281 6.2.1 辐照对SiC材料缺陷的影响机理 281 6.2.2 探测器辐照退化的仿真拟合方法 284 6.2.3 探测器性能退化研究 300 参考文献 319
|
精彩片段: |
|
书 评: |
|
其 它: |
|
|
|