氮化铝单晶材料生长与应用 - 宽禁带半导体前沿丛书 - 中国高校教材图书网
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书名： |
氮化铝单晶材料生长与应用
宽禁带半导体前沿丛书
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| ISBN： | 9787560662831 |
条码： | |
| 作者： |
徐科 黄俊
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装订： | 平装 |
| 印次： | 1-1 |
开本： | 大32开 |
| 定价： |
￥108.00
折扣价：￥102.60
折扣：0.95
节省了5.4元
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字数： |
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| 出版社： |
西安电子科技大学出版社 |
页数： |
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| 发行编号： | |
每包册数： |
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| 出版日期： |
2022-08-01 |
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| 内容简介： |
氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输法、氢化物气相外延法、金属有机物化学气相沉积法制备氮化铝单晶和氮化铝器件应用。
本书基于翔实的数据，对氮化铝单晶材料生长的技术方法及应用领域的发展进行了讨论，注重专业性和系统性，具有简明、扼要等特点，可供从事相关研究的科研和工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的参考教材。
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| 作者简介： |
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| 章节目录： |
第1章 氮化铝单晶材料的基本性质 1
1.1 氮化铝的应用背景与发展现状 2
1.2 氮化铝的基本物理性质 3
1.3 氮化铝的晶体结构性质 9
1.4 氮化铝的光学性质与能带结构 13
第2章 氮化铝单晶材料生长的物理基础 17
2.1 生长热力学 18
2.1.1 相图 18
2.1.2 表面能与晶体形态 19
2.2 生长动力学 20
2.2.1 过饱和度与过冷度 20
2.2.2 成核 21
2.2.3 表面动力学 22
第3章 氮化铝单晶材料的缺陷 27
3.1 点缺陷 28
3.1.1 本征点缺陷 28
3.1.2 非本征点缺陷 29
3.2 位错 32
3.2.1 位错的定义和分类 32
3.2.2 位错的形成 33
3.2.3 镜像力与位错的运动 39
3.2.4 位错的合并规律 43
3.2.5 位错攀移 45
3.3 层错与晶界 48
第4章 物理气相传输法制备氮化铝单晶 53
4.1 发展历史 54
4.2 物理气相传输设备 57
4.2.1 石墨加热炉 57
4.2.2 钨加热炉 58
4.3 生长机制 59
4.3.1 生长窗口与路径 59
4.3.2 N极性生长 60
4.3.3 热场优化 61
4.4 籽晶培养 62
4.4.1 选晶生长获得AlN籽晶 63
4.4.2 在SiC衬底上异质外延生长获得AlN籽晶 66
4.4.3 自发成核法制备自支撑AlN晶体 72
4.5 同质外延 74
第5章 氢化物气相外延法制备氮化铝单晶 81
5.1 发展历史 82
5.2 氢化物气相外延系统 83
5.3 预反应 85
5.3.1 化学反应 85
5.3.2 预反应影响 87
5.4 AlN外延膜位错密度的降低 89
5.4.1 两步法生长 89
5.4.2 侧向外延 91
5.4.3 缓冲层退火技术 93
5.5 自支撑氮化铝单晶制备 99
5.6 HVPE同质外延技术 105
第6章 金属有机物化学气相沉积法制备氮化铝单晶薄膜 109
6.1 简介 110
6.2 MOCVD系统的基本结构 110
6.3 位错密度控制 111
6.3.1 变生长模式生长 111
6.3.2 脉冲外延 116
6.3.3 图形衬底 120
6.3.4 缓冲层退火技术 130
第7章 氮化铝器件应用 135
7.1 氮化铝紫外发光二极管 136
7.1.1 紫外发光二极管（UV-LED）的应用 136
7.1.2 紫外发光二极管（UV-LED）的发展现状 137
7.1.3 在AlN单晶衬底上制备紫外发光二极管 149
7.2 氮化铝电力电子器件 157
参考文献 167
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| 精彩片段： |
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| 书 评： |
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| 其 它： |
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