CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固 - 中国高校教材图书网
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书名: |
CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固
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ISBN: | 9787567304116 |
条码: | |
作者: |
刘必慰
相关图书
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装订: | 0 |
印次: | 1-1 |
开本: | 32开 |
定价: |
¥36.00
折扣价:¥34.20
折扣:0.95
节省了1.8元
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字数: |
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出版社: |
国防科技大学出版社 |
页数: |
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发行编号: | |
每包册数: |
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出版日期: |
2016-03-01 |
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内容简介: |
本书共八章,内容从基于PD SOI工艺的抗辐照SRAM设计,基于商用体硅的RHBD SRAM设计,电荷共享及加固存储单元中的多节点翻转,电荷共享与深阱参掺的关系,超深亚微米工艺下电路级SET脉冲的耦合注入,SET重汇聚及对SER评估的影响,基于混合随机模拟的重汇聚分析方法等,较为全面地介绍了超深亚微米下集成电路的建模与加固方法。本书可作为从事集成电路辐射效应和抗辐射加固技术研究的教师、工程技术人员以及研究生的专业参考书。 本书共八章,内容从基于PD SOI工艺的抗辐照SRAM设计,基于商用体硅的RHBD SRAM设计,电荷共享及加固存储单元中的多节点翻转,电荷共享与深阱参掺的关系,超深亚微米工艺下电路级SET脉冲的耦合注入,SET重汇聚及对SER评估的影响,基于混合随机模拟的重汇聚分析方法等,较为全面地介绍了超深亚微米下集成电路的建模与加固方法。本书可作为从事集成电路辐射效应和抗辐射加固技术研究的教师、工程技术人员以及研究生的专业参考书。
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作者简介: |
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章节目录: |
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精彩片段: |
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书 评: |
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其 它: |
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