外来元素融合铟锌氧化物透明导体/半导体研究 - 中国高校教材图书网
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书名： |
外来元素融合铟锌氧化物透明导体/半导体研究
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| ISBN： | 978-7-5625-5157-7 |
条码： | |
| 作者： |
孙剑 于静波 著
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装订： | 平装 |
| 印次： | 1-1 |
开本： | 大32开 |
| 定价： |
￥38.00
折扣价：￥36.10
折扣：0.95
节省了1.9元
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字数： |
155千字
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| 出版社： |
中国地质大学出版社 |
页数： |
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| 发行编号： | |
每包册数： |
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| 出版日期： |
2021-11-01 |
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| 内容简介： |
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《外来元素融合的铟锌氧化物透明导体/半导体的研究》是作者及课题组多年来在透明导体/半导体方面开展的系统科研工作的总结，重点介绍了外来元素融合的铟锌氧化物透明导体/半导体的光电特性的最新研究成果。全书内容主要分两个部分，第一部分研究了在Hosono等人提出的工作假定的框架内的Ag、Ge候选元素对 a-IZO 体系性能的影响，并对此工作假定进行了评估，具体为：（1）首先研究了Ag掺入 a-IZO 的系统，并通过在a-IZO 中嵌入Ag薄层成功实现了比 a-IZO 高 19 倍的电导率同时透过率与 a-IZO 相当。Ag嵌入a-IZO薄膜的导电行为不同寻常的特征，提出了相应的导电模型来进行解释。Ag 嵌入a-IZO 薄膜的 Haacke 品质因数 (FOM) 比 IZO 参考样品高约 3 倍，表明其在器件应用中的性能将有较为出色的表现。（2）Ge掺入 a-IZO 系统时表明，Ge/（Zn+In+Ge）原子比高达 12% 的样品（标记为 a-GeZnInO）的电导率是 a-IZO 参考样品的两倍。说明由重金属阳离子 Ge4+、In3+ 和 Zn2+ 组成的 a-GeZnInO 属于离子非晶氧化物，符合Hosono等人提出的工作假定。随着Ge浓度的增加， In2O3晶体存在意外出现和消失的现象，通过热力学理论对这种显现进行了解释。 此外，在量子修正理论的框架内，解释了观察到的系统性的低温电阻率异常现象（半导体-金属转变）。样品a-GeZnInO 的 Haacke FOM值与 a-IZO 参考样品相当。 第二部分介绍了在Hosono等人提出的工作假定的框架外的Ag、Ge候选元素对 a-IZO 体系性能的影响，同样对此工作假定进行了评估，具体为：（1）低成本 Al 掺杂的 a-IZO 系统显示出比 a-IZO 参考样品高 4 倍的电导率。
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| 作者简介： |
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| 章节目录： |
第一章 绪论 1
第二章 文献综述 4
第三章 实验方法 10
第四章 Ag元素参与和Ag夹层对a-IZO系统的影响 58
第五章 Ge元素参与对a-IZO系统的影响 67
第六章 Al元素参与对a-IZO系统的影响 75
第七章 Y元素加入对a-IZO系统的影响 88
第八章 结论 97
主要参考文献 100
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| 精彩片段： |
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| 书 评： |
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| 其 它： |
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