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功率晶体管原理 - 中国高校教材图书网

	书名：	功率晶体管原理
	ISBN：	978-7-81113-491-9	条码：
	作者：	万积庆唐元洪编著相关图书	装订：	平装
	印次：	1-1	开本：	16开
	定价：	￥43.00　折扣价：￥40.85 折扣：0.95 节省了2.15元	字数：	405千字
	出版社：	湖南大学出版社	页数：	280页
	发行编号：		每包册数：
	出版日期：	2009-03-01
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内容简介：
本书首先介绍Si 和 SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。
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