《氮化物半导体太赫兹器件》（订购）

冯志红 编著

西安电子科技大学出版社

2022年9月出版

　　出版背景

　　氮化物半导体具有较大的带隙宽度、高强击穿电场和高饱和电子漂移速度等优越的物理特性，非常适合制备高频大功率电子器件。近年来基于氮化物半导体的高频器件发展迅速，工作频率已进入太赫兹频段，并展现出巨大的发展潜力，成为国际研究热点。随着发展的成熟，氮化物半导体器件必将在太赫兹高速通信、太赫兹高分辨率成像以及无损检测等相关领域中得到广泛应用。

　　目前国内外开展氮化物半导体太赫兹器件研究的单位越来越多，我国急需在氮化物半导体太赫兹器件原理、设计和应用方面取得突破。本书是作者团队近十年来在氮化物太赫兹器件相关领域核心研究成果的总结，将会对我国氮化物半导体太赫兹器件的研究起到推动作用。

　　内容简介

　　随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器件和高灵敏探测器件等，涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。本书是在作者近几年来一直从事氮化物太赫兹器件研究工作的基础上，借鉴了国内外相关领域的核心研究成果，并通过大量的应用实例来让从事实践的工程师掌握基本的固态太赫兹知识，并尽量减少纯粹的数学分析。

　　本书供从事氮化物半导体太赫兹器件的研究人员及工程技术人员学习参考。

　　作者介绍

　　冯志红　中电集团第十三所研究员，专用集成电路国家级重点实验室副主任，中国电科太赫兹专业领域首席专家；国际电工技术标准委员会（IEC）专家、国防科技创新特区主题专家组专家。

　　长期从事氮化物半导体技术研究工作，研究内容涉及宽禁带半导体、固态太赫兹、射频碳电子等。带领团队承担国家重大专项及973、863等国家级项目，多项成果处于国际先进水平。先后荣获国家科技进步一等奖1项，授权发明专利80余项。

　　专业推荐

　　氮化物半导体太赫兹器件是氮化物在太赫兹领域应用而产生的新型器件，具有工作频率高、功率高、速度高和灵敏度高的显著特点，是太赫兹技术发展的新方向，也是国际研究的热点。目前国内外缺少有关氮化物半导体太赫兹器件技术相关的书籍。本书填补了这一空白。本书的特点或优势可以概况为：

　　（1）国内第一本系统介绍太赫兹频段氮化物器件的基本原理、制备工艺、发展趋势和应用情况；

　　（2）国内第一本系统介绍太赫兹频段的氮化物器件的建模和电路仿真技术；

　　（3）国内第一本详细介绍氮化物器件对太赫兹波幅度、相位和波束进行直接性的调制和控制技术。

　　本书通过大量的应用实例让从事相关工作的科技人员掌握基本的氮化物太赫兹器件知识，并尽量减少纯粹的数学分析，能为从事固态太赫兹技术的工程技术人员提供有价值的参考。

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来源：西安电子科技大学出版社