硅基应变半导体物理（研究生） - 中国高校教材图书网
|
书名： |
硅基应变半导体物理（研究生）
|
| ISBN： | 9787560652948 |
条码： | |
| 作者： |
宋建军
相关图书
|
装订： | 0 |
| 印次： | 1-1 |
开本： | 16开 |
| 定价： |
￥23.00
折扣价：￥21.85
折扣：0.95
节省了1.15元
|
字数： |
201千字
|
| 出版社： |
西安电子科技大学出版社 |
页数： |
140页
|
| 发行编号： | |
每包册数： |
20
|
| 出版日期： |
2019-05-17 |
|
|
| 内容简介： |
本书共6章，主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容，重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型，并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习，可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。
本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。
|
| 作者简介： |
|
|
| 章节目录： |
第1章 应变实现方法 1
1.1 应力引入方法 1
1.1.1 通过机械力引入应力 1
1.1.2 全局应变引入应力 2
1.1.3 源/漏(S/D)植入引入应力 2
1.1.4 SiN帽层引入应力 3
1.1.5 应力释放引入应力 3
1.1.6 应力记忆引入应力 4
1.1.7 Ge预非晶化引入应力 4
1.2 临界厚度及应变测定方法 4
1.2.1 临界厚度 4
1.2.2 应变测定方法 6
1.3 本章小结 8
习题 8
第2章 硅基应变材料能带E-k关系 9
2.1 应变张量模型 9
2.1.1 应变张量通解 9
2.1.2 (001)、(111)、(101)面应变张量 12
2.2 硅基应变材料赝晶结构模型 15
2.3 形变势模型 18
2.4 定态微扰理论 19
2.4.1 能级非简并情况 20
2.4.2 能级简并情况 21
2.5 硅基应变材料导带E-k关系 22
2.6 硅基应变材料价带E-k关系 25
2.6.1 弛豫Si价带E-k关系 25
2.6.2 硅基应变材料价带E-k关系 31
2.7 本章小结 38
习题 38
第3章 硅基应变材料基本物理参数模型 39
3.1 硅基应变材料导带结构模型 39
3.1.1 硅基应变材料导带能谷简并度 39
3.1.2 硅基应变材料导带能谷能级 40
3.2 硅基应变材料价带结构模型 42
3.2.1 硅基应变材料价带Γ点处能级 42
3.2.2 应变Si价带结构 45
3.3 硅基应变材料空穴有效质量 48
3.3.1 硅基应变材料空穴各向异性有效质量 48
3.3.2 硅基应变材料空穴各向同性有效质量 69
3.4 硅基应变材料态密度 73
3.4.1 硅基应变材料导带底附近态密度 73
3.4.2 硅基应变材料价带顶附近态密度 76
3.5 硅基应变材料有效状态密度及本征载流子浓度 78
3.6 本章小结 84
习题 84
第4章 基于CASTEP的应变Si能带结构分析 85
4.1 CASTEP软件的主要理论 85
4.1.1 密度泛函理论(DFT) 85
4.1.2 赝势 88
4.1.3 分子轨道的自洽求解 89
4.1.4 CASTEP软件的几项关键技术 90
4.2 基于CASTEP的应变Si能带结构分析 90
4.2.1 能带分析选项卡的设定 90
4.2.2 能带分析结果 93
4.3 结果分析与讨论 98
4.3.1 (001)应变Si带边分析 98
4.3.2 (101)应变Si带边分析 101
4.3.3 (111)应变Si带边分析 104
4.4 本章小结 106
习题 106
第5章 Ge组分(x)与应力转化模型 107
5.1 转化原理及模型 107
5.2 (101)面双轴应力与Ge组分的关系 112
5.3 结果分析与讨论 113
5.4 本章小结 114
习题 114
第6章 硅基应变材料载流子散射机制与迁移率 115
6.1 费米黄金法则 115
6.2 跃迁概率及散射概率模型 119
6.3 载流子迁移率模型 128
6.4 本章小结 129
习题 129
参考文献 130
|
| 精彩片段： |
|
|
| 书 评： |
|
|
| 其 它： |
|
|
|
中国大学出版社协会 |
首页 |
宏观指导 |
出版社天地 |
图书代办站 |
教材图书信息 |
教材图书评论 |
在线订购 |
教材征订
