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III族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用 - 中国高校教材图书网
书名: III族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用
ISBN:978-7-5635-6135-3 责任编辑:
作者: 胡安琪  相关图书 装订:0
印次:1-1 开本:16开
定价: ¥38.00  折扣价:¥25.46
折扣:0.67 节省了12.54元
字数: 251千字
出版社: 北京邮电大学出版社 页数:
出版日期: 2020-08-11 每包册数: 16
国家规划教材: 省部级规划教材:
入选重点出版项目: 获奖信息:
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内容简介:
Ⅲ族氮化物材料是继第一代和第二代半导体材料后发展起来的第三代半导体的典型材料。它具有禁带宽度大且可调、击穿电压高、载流子迁移率高等优异的物理性质,使其在光电器件和电子器件领域有重要的应用,是当前国内外研究的热点材料。本书适合微电子、光电子、半导体材料专业的学生和教师阅读,也可供非专业人士作为入门书籍浏览。
III族氮化物半导体材料具有大禁带宽度、高击穿电压、高载流子迁移率等优异的物理性质,是紫外光电器件和电力电子器件的热点材料。本书基于作者的科研经验,将III族氮化物半导体材料从材料性质、表征手段到器件应用作了全链条的、详细的介绍,并结合了作者在科研过程中的体会,希望对读者有些许帮助。

作者简介:
胡安琪,女,博士毕业于北京大学物理学院,现在北京邮电大学电子工程学院任职,职称为讲师。长期从事半导体器件研究工作,研究方向涉及III族氮化物半导体材料及其相关器件,对该领域有一定的了解。

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