氮化镓单晶材料生长与应用 - 宽禁带半导体前沿丛书 - 中国高校教材图书网

中国大学出版社协会 | 首页 | 宏观指导 | 出版社天地 | 图书代办站 | 教材图书信息 | 教材图书评论 | 在线订购 | 教材征订

搜索新闻图书 ISBN 作者音像出版社代办站教材征订

购书请登录免费注册客服电话:010-62510665 62510769

购书指南购物车我的订单征订单存书架小团购二手书优惠活动关于我们

图书查询索引 版别索引分类索引中图法分类专业分类用途分类制品类型读者对象自分类最新畅销推荐特价教材征订

准确查询综合查询

氮化镓单晶材料生长与应用 - 宽禁带半导体前沿丛书 - 中国高校教材图书网

	书名：	氮化镓单晶材料生长与应用宽禁带半导体前沿丛书
	ISBN：	978-7-5606-6466-8	条码：
	作者：	徐科相关图书	装订：	平装
	印次：	1-1	开本：	16开
	定价：	￥128.00　折扣价：￥121.60 折扣：0.95 节省了6.4元	字数：
	出版社：	西安电子科技大学出版社	页数：
	发行编号：		每包册数：
	出版日期：	2022-11-01
	入选重点出版项目：	国家出版基金资助项目	获奖信息：
    

小团购订购咨询推荐打印放入存书架

内容简介：
氮化镓单晶材料生长与应用正在快速发展，本书以作者所在团队多年来的研究工作为基础，并作了大量扩展和补充，呈现了该领域的最新研究成果。具体来说，本书分八章内容详细介绍了氮化镓单晶材料生长的基本原理、技术方法、发展现状及应用趋势。本书系统性强，有较完整的专业知识讲解，实验数据丰富。虽然本书所涉及内容没有涵盖氮化镓单晶材料生长的全部内容，但具有典型性、扼要性、前瞻性。本书可供从事氮化镓单晶材料生长相关研究的科研和工程技术人员阅读参考，也可作为高等院校相关专业领域研究生和高年级本科生的参考教材。
作者简介：

章节目录：
第1章氮化镓单晶材料概述 1.1 氮化镓晶体结构及其极性 1.1.1 纤锌矿结构 1.1.2 晶体极性 1.1.3 能带结构 1.2 氮化镓晶体缺陷 1.2.1 点缺陷 1.2.2 位错 1.2.3 层错 1.2.4 倒反畴界 1.3 氮化镓材料特性 1.3.1 光学特性 1.3.2 电学特性 1.3.3 热学特性参考文献第2章氮化镓单晶材料生长的基本特性 2.1 生长动力学特性 2.1.1 热力学驱动力 2.1.2 传质输运 2.1.3 晶体生长机制 2.1.4 晶体生长形态 2.2 位错的产生与湮灭 2.2.1 失配位错产生机理 2.2.2 穿透位错参考文献第3章氮化镓单晶制备的方法——氢化物气相外延生长法 3.1 发展历程 3.2 生长原理及装备 3.2.1 基本原理 3.2.2 HVPE生长过程的研究 3.2.3 HVPE反应器的分类及研究现状 3.3 应力及缺陷控制 3.3.1 应力控制 3.3.2 缺陷控制 3.4 掺杂技术 3.4.1 非故意掺杂 3.4.2 Si掺杂 3.4.3 Ge掺杂 3.4.4 半绝缘掺杂 3.5 氮化镓单晶衬底分离技术 3.5.1 自分离工艺 3.5.2 激光剥离 3.6 发展趋势参考文献第4章氮化镓单晶制备的方法——氨热法 4.1 发展历程 4.2 生长原理 4.3 工艺流程和生长装备 4.3.1 工艺流程 4.3.2 生长装备 4.4 氨热化学反应过程及溶解度控制 4.5 晶体生长进展 4.5.1 碱性矿化剂氨热GaN晶体生长进展 4.5.2 酸性矿化剂氨热GaN晶体生长进展 4.6 发展趋势参考文献第5章氮化镓单晶制备的方法——助熔剂法 5.1 发展历程 5.2 基本原理和控制方法 5.2.1 基本原理 5.2.2 过饱和度控制 5.2.3 缺陷控制 5.2.4 应力控制 5.3 液相外延生长技术 5.4 大尺寸氮化镓单晶生长 5.4.1 多点籽晶合并法 5.4.2 拼接法 5.4.3 国内研究进展 5.5 发展趋势参考文献第6章氮化镓单晶同质外延生长技术 6.1 同质外延特点 6.1.1 同质外延的优势 6.1.2 同质外延的特殊性 6.2 外延衬底表面处理 6.2.1 化学机械抛光 6.2.2 干法和湿法刻蚀 6.3 同质外延界面控制 6.3.1 同质外延界面主要杂质类型 6.3.2 同质外延界面杂质来源 6.3.3 同质外延界面杂质对器件的影响 6.3.4 同质外延界面杂质解决方案 6.4 同质外延缺陷控制参考文献第7章氮化镓单晶材料的应用——光电器件 7.1 应用市场分析 7.1.1 发光二极管（LED）应用领域 7.1.2 半导体激光器（LD）应用领域 7.2 发光二极管（LED） 7.2.1 GaN基LED介绍 7.2.2 GaN基LED发展历史 7.2.3 LED衬底材料与外延生长技术 7.2.4 LED芯片结构 7.2.5 LED芯片光效提取 7.2.6 非极性/半极性LED 7.3 微型发光二极管（MicroLED） 7.3.1 衬底材料 7.3.2 缺陷控制 7.3.3 波长均匀性 7.3.4 MicroLED器件制备与效率衰减 7.3.5 MicroLED全彩显示技术 7.4 半导体激光器 7.4.1 GaN基激光器应用 7.4.2 GaN基激光器研究现状 7.5 GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL） 7.5.1 GaN基VCSEL 应用 7.5.2 GaN基VCSEL发展历史 7.5.3 蓝紫光、绿光以及紫外GaN基VCSEL研究现状与存在问题 7.6 发展趋势 7.6.1 LED发展趋势 7.6.2 MicroLED显示技术发展趋势 7.6.3 半导体激光器发展趋势参考文献第8章氮化镓单晶材料的应用——电力电子和微波射频器件 8.1 应用市场分析 8.1.1 电力电子器件应用市场分析 8.1.2 微波射频器件应用市场分析 8.2 pn结二极管 8.3 肖特基势垒二极管 8.4 GaN基MOSFET器件 8.5 GaN基HEMT器件 8.6 Ga基CAVET器件 8.7 发展趋势参考文献
精彩片段：

书　　评：

其　　它：
相关评论发表评论

| 我的帐户 | 我的订单 | 购书指南| 关于我们 | 联系我们 | 敬告 | 友情链接 | 广告服务 |

版权所有 © 2000-2002 中国高校教材图书网京ICP备10054422号-7 京公网安备110108002480号出版物经营许可证：新出发京批字第版0234号
经营许可证编号：京ICP证130369号技术支持：云因信息