1电子能谱：一些基本概念

11表面分析1

12能谱标识方法2

121谱学家标识方法2

122X射线标识方法3

13X射线光电子能谱(XPS)4

14俄歇电子能谱(AES)5

15扫描俄歇电子显微镜(SAM)6

16电子能谱中的分析深度7

17比较XPS和AES／SAM8

18表面分析设备9

2电子能谱仪构造

21真空系统11

22样品12

23X射线源14

231双阳极X射线源14

232X射线单色器15

233荷电补偿18

24AES的电子枪18

241电子源19

242俄歇电子能谱中电子发射体的比较21

25电子能谱分析器22

251筒镜形分析器22

252半球形分析器24

26探测器28

261通道电子倍增器28

262通道板29

27小面积XPS29

271透镜限定小面积XPS30

272源限定小面积XPS30

28XPS成像和面分布成像30

281串行采集31

282平行采集31

29小面积XPS的横向分辨率33

210角分辨XPS34

3电子能谱：定性和定量诠释

31定性分析37

311电子能谱中的干扰特征峰38

312数据采集39

32化学态信息40

321X射线光电子能谱40

322电子诱导激发俄歇电子能谱41

323俄歇参数42

324化学态图43

325震激伴峰44

326多重劈裂45

327等离激元46

33定量分析47

331影响电子能谱定量分析的因素47

332XPS定量分析48

333AES定量分析48

4组分深度剖析

41非破坏性深度剖析方法50

411角分辨电子能谱50

412分析深度随电子动能的变化57

42惰性气体离子刻蚀深度剖析58

421溅射过程58

422实验方法59

423溅射产额和刻蚀速率60

424影响刻蚀速率的因素61

425影响深度分辨的因素62

426校准64

427离子枪结构65

43机械切削67

431斜面磨角67

432球形磨坑67

44结束语69

5电子能谱在材料科学中的应用

51引言71

52冶金学71

521晶界偏析71

522金属合金电子结构75

523表面工程77

53腐蚀科学81

54陶瓷和催化剂87

55微电子和半导体材料89

551半导体器件表面AES组分面分布成像90

552半导体材料的深度剖析91

553超薄层薄膜的ARXPS研究92

56聚合物材料93

57黏合科学98

6XPS，AES与其他分析技术的比较

61电子显微镜中的X射线分析107

62电子显微镜中的电子分析108

63表面分析质谱110

64离子散射谱113

65结束语115

名词术语

缩写词表118

表面分析方法简介118

表面分析术语119

因特网上的表面分析资料126

表面分析中的文字标准126

附录

附录1俄歇电子能量131

附录2用AlKαX射线获得的结合能表132

索引134