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功率晶体管原理 - 中国高校教材图书网

	书名：	功率晶体管原理
	ISBN：	978-7-81113-491-9	责任编辑：
	作者：	万积庆唐元洪编著相关图书	装订：	平装
	印次：	1-1	开本：	16开
	定价：	￥43.00　折扣价：￥40.85 折扣：0.95 节省了2.15元	千字数：	405
	出版社：	湖南大学出版社	装订：	平装
	出版日期：	2009-03-01	页数：	280页
	每包册数：		立体化教材：
	专业分类：	电子信息工程	中图法分类：	无线电电子学、电信技术
	用途分类：	学术专著	读者分类：	该领域研究人员
	国家规划教材：		省部级规划教材：
	入选重点出版项目：		获奖信息：
	印刷日期：
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内容简介：
本书首先介绍Si 和 SiC材料的基本物理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数；然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。
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