微电子器件可靠性 - 中国高校教材图书网
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书名： |
微电子器件可靠性
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| ISBN： | 7-5606-0719-5 |
条码： | |
| 作者： |
史保华
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装订： | 0 |
| 印次： | 1-2 |
开本： | 0 |
| 定价： |
￥13.00
折扣价：￥12.35
折扣：0.95
节省了0.65元
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字数： |
276千字
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| 出版社： |
西安电子科技大学出版社 |
页数： |
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| 发行编号： | 099000 |
每包册数： |
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| 出版日期： |
1999-11-01 |
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| 内容简介： |
本书主要讨论硅基器件(分立与集成)的可靠性。全书共分9章，内容包括概述、可靠性的数学基础、失效物理、失效分析、可靠性设计、工艺可靠性、使用可靠性、可靠性试验、可靠性管理等。部分章末给出了复习思考题，以便于教学。
本书为高等学校电子信息类微电子技术专业硕士研究生教材，也可作为相应专业高年级学生及从事微电子器件可靠性工作的工程技术人员的阅读参考书。
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| 作者简介： |
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| 章节目录： |
第1章 概述 1
1.1 可靠性工作的意义与内容 1
1.2 质量、可靠性、经济性之间的关系 2
1.3 可靠性工作的内容 3
1.4 本教材的对象、内容与重点 4
第2章 可靠性的数学基础 5
2.1 可靠性的定量表征[1，2，4] 5
2.2 常用的概率分布[1，3，4] 9
2.3 可靠性框图和数学模型[4，5] 15
2.4 分布的检验[3] 24
思考题与习题 25
参考文献 25
第3章 失效物理 26
3.1 氧化层中的电荷[1，2，6] 26
3.2 热载流子效应[3，6] 29
3.3 栅氧击穿 34
3.4 电迁移[1] 38
3.5 与铝有关的界面效应[1] 42
3.6 热电效应 45
3.7 CMOS电咯的闩锁效应[4] 49
3.8 静电放电损伤[3，4，6] 52
3.9 辐射损伤[4] 54
3.10 软误差[3,5,6] 56
3.11 水汽的危害 58
思考题与习题 60
参考文献 61
第4章 失效分析 63
4.1 失效模式与失效机理[1] 63
4.2 失效模型 64
4.3 失效分析的内容与程序[1,2,8] 67
4.4 微分析技术的物理基础[5] 69
4.5 电子显微镜[3,5,7] 71
4.6 电子能谱及质谱[5,7] 76
4.7 红外分析[5] 81
4.8 破坏性物理分析[6] 83
4.9 失效分析实例 84
思考题与习题 87
参考文献 87
第5章 可靠性设计 88
5.1 可靠性设计的基本概念 88
5.2 针对主要失效模式的工艺技术和器件结构设计(例) 91
5.3 常规可靠性设计技术 92
5.4 可靠性模拟 97
5.5 内建可靠性 106
思考题与习题 109
参考文献 110
第6章 工艺可靠性 111
6.1 \"工艺可靠性技术\"概述 111
6.2 工艺参数监测技术 115
6.3 PPM技术 126
6.4 工序能力分析和6设计 129
6.5 SPC技术 132
6.6 工艺控制技术 142
思考题与习题 147
参考文献 147
第7章 可靠性试验 149
7.1 可靠性试验的分类及内涵[1,6,9] 149
7.2 环境试验、机械试验和电磁试验的主要内容与目的[9] 151
7.3 抽样理论[6,8] 157
7.4 试验数据的处理方法[2~6] 161
7.5 试验方案的制定方法 165
思考题与习题 167
参考文献 167
第8章 使用可靠性 168
8.1 器件的合理选用[1,2,4] 168
8.2 微电路的额定值和降额使用[5] 169
8.3 浪涌引起的使用失效 170
8.4 防止元器件使用中的静电损伤[3] 172
8.5 防护元器件 173
8.6 电子元器件的可靠性安装 176
思考题与习题 177
参考文献 177
第9章 可靠性管理 178
9.1 组织与人员管理[1~4] 178
9.2 材料及外协加工件管理 179
9.3 仪器设备管理 180
9.4 设计、工艺及工艺控制管理 180
9.5 文件、记录与信息管理 181
9.6 试验评价与失效分析管理 182
思考题与习题 182
参考文献 182
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| 精彩片段： |
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| 书 评： |
本教材系按原电子工业部制订的《1996年～2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划》，由微电子技术专业教学指导委员会编审、推荐出版。本教材由西安电子科技大学微电子研究所史保华教授任主编，主审为西安交通大学电信学院邵志标教授，责任编委为朱秉升教授。
本教材的参考学时数为45学时。全书共9章，其主要内容为：概述；可靠性数学基础，可靠性的定量表征，常用概率分布，可靠性框图及数学模型；半导体体内及各界面间可能发生的各种失效的物理过程，如热载流子效应，栅氧击穿，电迁移，静电损伤，CMOS电路的闩锁及水汽等的危害；失效模式，失效物理模型，失效分析程序和方法，特别是对常用的微分析技术的原理和特点作了必要的介绍；随后介绍了可靠性设计和内建可靠性；工艺监测与监控；抽样检验；各种可靠性试验及试验结果的统计处理等；其中特别反映了最新的技术进展，如计算机辅助可靠性，统计过程控制技术(SPC)及PPM质量管理；最后介绍微电路的使用可靠性，可靠性管理及质量认证等内容。
使用本教材时学生应具备一定的概率论与数理统计基础。本书内容只涉及硅器件，讲授中着重说明了有关的物理概念，涉及的数学知识只是作为一种工具使用。
本教材由史保华编写第1～4章，贾新章编写第5～6章，张德胜编写第7～9章。此教材是在本校硕士研究生三届教学实践讲义的基础上进行了修改、补充和完善后形成的。
由于编者水平有限，书中难免存在一些缺点和错误，殷切希望广大读者批评指正。
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