CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固 - 中国高校教材图书网
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书名： |
CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固
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| ISBN： | 9787567304116 |
责任编辑： | |
| 作者： |
刘必慰
相关图书
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装订： | 0 |
| 印次： | 1-1 |
开本： | 32开 |
| 定价： |
￥36.00
折扣价：￥34.20
折扣：0.95
节省了1.8元
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字数： |
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| 出版社： |
国防科技大学出版社 |
页数： |
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| 出版日期： |
2016-03-01 |
每包册数： |
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| 国家规划教材： |
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省部级规划教材： |
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| 入选重点出版项目： |
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获奖信息： |
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| 内容简介： |
本书共八章，内容从基于PD SOI工艺的抗辐照SRAM设计，基于商用体硅的RHBD SRAM设计，电荷共享及加固存储单元中的多节点翻转，电荷共享与深阱参掺的关系，超深亚微米工艺下电路级SET脉冲的耦合注入，SET重汇聚及对SER评估的影响，基于混合随机模拟的重汇聚分析方法等，较为全面地介绍了超深亚微米下集成电路的建模与加固方法。本书可作为从事集成电路辐射效应和抗辐射加固技术研究的教师、工程技术人员以及研究生的专业参考书。
本书共八章，内容从基于PD SOI工艺的抗辐照SRAM设计，基于商用体硅的RHBD SRAM设计，电荷共享及加固存储单元中的多节点翻转，电荷共享与深阱参掺的关系，超深亚微米工艺下电路级SET脉冲的耦合注入，SET重汇聚及对SER评估的影响，基于混合随机模拟的重汇聚分析方法等，较为全面地介绍了超深亚微米下集成电路的建模与加固方法。本书可作为从事集成电路辐射效应和抗辐射加固技术研究的教师、工程技术人员以及研究生的专业参考书。
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| 作者简介： |
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| 章节目录： |
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| 精彩片段： |
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| 书 评： |
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| 其 它： |
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